月: 2024年5月
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(8)をアップロードしました。
連載(8)では、基板中に存在していた基底面転位が、ドリフト層中へ少しだけ入り込んでしまった場合、どのような形状のショックレー型積層欠陥が成長するかを考察しました。連載(8)とこの連載(8)以降は、MO… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (8)
〜 基板から受け継がれる基底面転位が原因になる積層欠陥の生成 〜はじめに 前回までに、4H-SiC-MOSFETのn–ドリフト層部分にどのような転位組織が存在しているかを考察しました。REDG効果によって、これらの転位組織からどのような形状の積層欠陥が… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(7)をアップロードしました。
連載(6)から、n–ドリフト層中に侵入してくる基底面転位にはどのようなものがあるのかを考察しています。n–ドリフト層の下側、つまり[0001]方向から入ってくる基底面転位、L字… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (7)
〜 4H-SiCのMOSFET中の転位組織2 〜はじめに 4H-SiCでMOSFETを作製して、on-off動作を続けると、on抵抗が徐々に増大する現象、”順方向特性劣化”が発生することがあります。特性劣化を起こしたMOSFETを放射光トポグラフ法… 続きを読む →