本組合の活動に関係するコラムや解説です。
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放射光トポグラフ法の利用 (2022-12-25)
- SiCテクノロジーの中での放射光X線トポグラフ法の位置づけ (2022-12-25 完)
- 4H-SiCの転位の向きとバーガース・ベクトル (2022-12-31 完)
- 4H-SiCの転位の整理 (2023-01-31 完)
- 転位の観察の条件 (2023-02-01 完)
- 4H-SiCの基底面転位の観察 (2023-02-19 完)
- 貫通転位の観察 (2023-03-01 完)
- ショックレー型積層欠陥、積層欠陥の変位ベクトルR (2023-03-16 完)
- 積層欠陥のコントラストルールとステルスな積層欠陥 (2023-04-01 完)
- フランク型積層欠陥について (2023-04-17 完)
- 潜傷の観察 (2023-05-02 完)
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SiCのフランク型積層欠陥 (2023-08-01)
- SiCの掟 (2023-08-01 完)
- ショックレー型積層欠陥の記述について (2023-08-16 完)
- 4H-SiCの欠損したフランク型積層欠陥 (2023-09-04 完)
- ショックレー変位を伴う欠損したフランク型積層欠陥1 (2023-09-25 完)
- ショックレー変位を伴う欠損したフランク型部分転位の構造2 (2023-10-15 完)
- ショックレー変位を伴わない余剰のフランク型積層欠陥 (2023-11-03 完)
- ショックレー変位を伴う余剰フランク型積層欠陥 (2023-11-18 完)
- 2H-GaNのフランク型積層欠陥との比較 (2023-12-02 完)
- 実験結果との比較とまとめ (2024-01-14 完)
今後の掲載予定
- 増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化
- その8