本組合の活動に関係するコラムや解説です。
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放射光トポグラフ法の利用 (2022-12-25)
- SiCテクノロジーの中での放射光X線トポグラフ法の位置づけ (2022-12-25 完)
- 4H-SiCの転位の向きとバーガース・ベクトル (2022-12-31 完)
- 4H-SiCの転位の整理 (2023-01-31 完)
- 転位の観察の条件 (2023-02-01 完)
- 4H-SiCの基底面転位の観察 (2023-02-19 完)
- 貫通転位の観察 (2023-03-01 完)
- ショックレー型積層欠陥、積層欠陥の変位ベクトルR (2023-03-16 完)
- 積層欠陥のコントラストルールとステルスな積層欠陥 (2023-04-01 完)
- フランク型積層欠陥について (2023-04-17 完)
- 潜傷の観察 (2023-05-02 完)
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SiCのフランク型積層欠陥 (2023-08-01)
- SiCの掟 (2023-08-01 完)
- ショックレー型積層欠陥の記述について (2023-08-16 完)
- 4H-SiCの欠損したフランク型積層欠陥 (2023-09-04 完)
- ショックレー変位を伴う欠損したフランク型積層欠陥1 (2023-09-25 完)
- ショックレー変位を伴う欠損したフランク型部分転位の構造2 (2023-10-15 完)
- ショックレー変位を伴わない余剰のフランク型積層欠陥 (2023-11-03 完)
- ショックレー変位を伴う余剰フランク型積層欠陥 (2023-11-18 完)
- 2H-GaNのフランク型積層欠陥との比較 (2023-12-02 完)
- 実験結果との比較とまとめ (2024-01-14 完)
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (2024-02-01)
- 4H-SiCの結晶構造と基底面転位の分解 (2024-02-01 完)
- 基底面転位ループの構造 (2024-02-20 完)
- 基底面転位ループのバリエーション (2024-03-01 完)
- 基底面転位からのショックレー型積層欠陥の湧き出し1 (2024-03-17 完)
- 基底面転位からのショックレー型積層欠陥の湧き出し2 (2024-04-01 完)
- 4H-SiCのMOSFET中の転位組織 1 (2024-04-15 完)
- 4H-SiCのMOSFET中の転位組織2 (2024-05-01 完)
- 基板から受け継がれる基底面転位が原因になる積層欠陥の生成 (2024-05-15 完)
- 界面転位、U字状転位、貫通刃状転位の折れ曲がりから生成する積層欠陥の成長 (2024-06-03 完)
- 界面転位と貫通刃状転位との交差 (2024-06-15 完)
- n-ドリフト層の上部から侵入する格子欠陥、側面から侵入する格子欠陥 (2024-07-07 完)
- まとめ (2024-07-17 完)
今後の掲載予定
- 対称性から観た半導体エピタキシャル結晶成長
- 立方晶結晶と対称性
- 六方晶結晶と対称性
- その他の結晶と対称性