近年、半導体テクノロジーの重要性が再認識されてきたが、半導体テクノロジーのベースとして、素材としての半導体結晶作成技術は欠くことのできない基幹技術である。しかし実際の半導体結晶成長では結晶粒の境界で… 続きを読む →

　当組合の奥村元代表が、10月3日に筑波大学 大学会館で行われたTsukuba Global Science Week(TGSW) 2024, Session 2-3 “Challenge of ma… 続きを読む →

パワー半導体デバイスの解説では、pn接合のn–ドリフト層側に広がる空乏層の電界分布の図を使って、最大電界と空乏層濃度と耐圧の関係を説明する。空乏層がn–ドリフト層内に止まることを前提としたノンパンチス… 続きを読む →

SiCのMOSFETを利用していると、on抵抗が増加していく現象が観察されることがあります。これは、利用中にSiC-MOSFETのn–ドリフト層中で、たくさんのショックレー型積層欠陥が成長… 続きを読む →

REDG効果によって、成長した積層欠陥の形状を調べると、積層欠陥の成長原因の基底面転位の素性がわかります。基底面転位の素性がわかれば、デバイスプロセスの改良が可能かもしれません。連載(11)では、n&… 続きを読む →