連載(6)から、n–ドリフト層中に侵入してくる基底面転位にはどのようなものがあるのかを考察しています。n–ドリフト層の下側、つまり[0001]方向から入ってくる基底面転位、L字… 続きを読む →

「キロワット」と「キロワット時」第4回（最終回）をアップしました。今回の主眼は瞬時電力（キロワット）に対する根本要求である「発電電力＝消費電力」に関するもので、その要求が崩れると電力システムの中で具体… 続きを読む →

“増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化”の連載の6回目をアップロードしました。前回までの連載では、基底面転位のバーガース・ベクトル、基底面転位が存在している四面体層、… 続きを読む →

増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の5回目をアップロードしました。連載のこの回では、それぞれ6つの異なるバーガース・ベクトルを持つ基底面転位が、2種類の異なるすべり面上にある場合、そ… 続きを読む →

増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の4回目をアップロードしました。この連載を進める上で必要になる基礎的な知識、4H-SiCでの基底面転位の構造について、連載(3)では整理しました。連… 続きを読む →