月: 2023年11月
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SiCのフランク型積層欠陥連載(7)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれています。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察しています。前回は、四面体層1層が余剰に挿入され、さらにショ… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (7)
〜 ショックレー変位を伴う余剰フランク型積層欠陥 〜はじめに 連載のその(6)ではショックレー変位の無い余剰フランク型積層欠陥の積層構造について考察しました。ショックレー変位の無い余剰フランク型積層欠陥を純粋な余剰フランク型積層欠陥と呼ぶことにします。… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(6)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれています。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察しています。今回は、四面体層1層が余剰に挿入されたフランク型… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (6)
〜 ショックレー変位を伴わない余剰のフランク型積層欠陥 〜はじめに この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に書いています。前回までは、4H-SiCの結晶で欠損したフランク型積層欠陥の場合について考察しました。今回は、四面体層が1層、… 続きを読む →