月: 2024年10月
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対称性から観た半導体エピタキシャル結晶成長 (3)
〜 最密六方構造の半導体結晶の特徴 〜前回の第2回記事では、結晶の対称性の観点から各種半導体結晶の特徴と関連性を概説し、FCCベースの立方晶結晶を対象に対称性の違いによる欠陥発生を考察した。それに引き続き今回はHCPベースの六方晶及び三… 続きを読む →
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対称性から見た半導体エピタキシャル結晶成長 (3)をアップロード
結晶欠陥の発生は結晶本来の対称性を崩し、半導体結晶ではそれを用いて作製される半導体デバイスの理想的特性を損なう事が知られている。本連載記事では、現在までに実用化された或いは実用化に向けて研究開発が進… 続きを読む →
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対称性から観た半導体エピタキシャル結晶成長 (2)
〜 面心立方構造の半導体結晶の特徴 〜前回の第1回記事では、半導体結晶成長技術の重要性と半導体材料の歴史的変遷について触れた後、結晶の対称性の破れが半導体結晶に結晶欠陥をもたらして半導体結晶の特性を損ない、ひいては半導体デバイスチップの… 続きを読む →
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対称性から見た半導体エピタキシャル結晶成長 (2)をアップロード
半導体結晶を人為的に作成しようとすると、結晶欠陥が発生して結晶の対称性が崩れる現象が頻繁に起こる。そしてそれらの半導体結晶をもとにして作製される半導体デバイスの理想的特性がしばしば損なわれている。本… 続きを読む →
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対称性から見た半導体エピタキシャル結晶成長 (1)をアップロード
近年、半導体テクノロジーの重要性が再認識されてきたが、半導体テクノロジーのベースとして、素材としての半導体結晶作成技術は欠くことのできない基幹技術である。しかし実際の半導体結晶成長では結晶粒の境界で… 続きを読む →
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対称性から観た半導体エピタキシャル結晶成長 (1)
〜 結晶対称性と結晶欠陥の発生 〜1.はじめに 近年、半導体テクノロジーの重要性が再認識されてきたが、半導体テクノロジーのベースとして、素材としての半導体結晶作成技術は欠くことのできない基幹技術である。「半導体」というと一般的感覚と… 続きを読む →
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当組合代表が、TGSW2024ワークショップでプレナリー講演
当組合の奥村元代表が、10月3日に筑波大学 大学会館で行われたTsukuba Global Science Week(TGSW) 2024, Session 2-3 “Challenge of ma… 続きを読む →