本稿では、パワーMOSFETのドリフト層設計の最適化について考える。おおかたのパワー半導体デバイスの解説では、p+n–接合のn–ドリフト層側に広がる空乏層の電界分布の図を使っ… 続きを読む →

　最近の新聞に、「再エネの発電能力、化石燃料に匹敵　世界で5割規模へ」という見出しの記事がありました。 「・・・再生エネの発電能力は24年には全電源の5割規模になるとみられる。ただ火力などに比べて稼働… 続きを読む →

　高圧直流送電 (HVDC) がニュースなどで話題にのぼるようになってきた。ひとつは、大規模洋上風力発電所と陸上の電力系統を海底ケーブルで結ぶ直流送電に関して、もうひとつは、再生可能エネルギーの主力供… 続きを読む →

日本の半導体復活を目指す動きが湧き上がり、業界が色々とかまびすしい。経産省の肝入りで昨年設立されたRapidusは、「2nmノードのLSI」の製造を目指すと言っている。2nmノードのトランジスタとはど… 続きを読む →

Marx発生器を設計するときに重要な半導体デバイスの定格をどう選ぶか考える。 充電電圧V0（半導体デバイスの耐圧） 充電電圧V0が高いほどMarx発生器の段数を減らせる。V0の選択は半導体デバイスの耐… 続きを読む →

前回概説した半導体Marx発生器の回路動作を詳細に見ていこう。まずMarx発生器の基本単位を確認する。図2-1にMarx発生器の回路を一部抜き出した。緑色に着色した部分が、Marxセルと呼ばれる回路の… 続きを読む →

近年、耐圧10kVを越える超高耐圧SiC MOSFETが一部開発者の手に入るようになってきた。TO-268サイズのコンパクトなパッケージに実装され、プリント基板に直付けできる。定格電流が数A程度と小さ… 続きを読む →

　5/30～6/3にリモート開催されたISPSD2021では、SiCのFinFETがひとつのトピックだった。今日のコラムでは、SiCパワーデバイスにおけるFinFETの意味を考えてみよう。 　FinF… 続きを読む →

半導体上に絶縁膜、金属電極を積層したMIS接合は、電界集中を緩和するフィールドプレート構造としてパワーデバイスで広く用いられている。空乏層のドナーから出る電気力線は絶縁膜を通り抜けて金属電極の電子が受… 続きを読む →

ここからはp型の問題に話を絞る。前コラムのn型ドリフト層の電界分布の議論は、pn接合があることが前提となっている。n型ドリフト層の反対側には高濃度のp型層があり、p型層側にも空乏層が拡がる。n型半導体… 続きを読む →

近年、SiCやGaNを超える次々世代のパワー半導体材料候補として、酸化ガリウム（Ga2O3）が注目されている。最近の応用物理学会誌2021年5月号にNICTの東脇正高氏の解説が掲載された。また、IEE… 続きを読む →