新着情報
-
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(4)をアップロードしました。
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の4回目をアップロードしました。この連載を進める上で必要になる基礎的な知識、4H-SiCでの基底面転位の構造について、連載(3)では整理しました。連… 続きを読む →
-
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(3)をアップロードしました。
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の3回目をアップロードしました。 この連載を進める上で必要になる基礎的な知識、4H-SiCの基底面転位についての説明を連載(1)-(3)でしています… 続きを読む →
-
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(2)をアップロードしました。
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の2回目をアップロードしました。この連載を進める上で必要になる基礎的な知識、4H-SiCの結晶構造や基底面転位について、連載(1)では整理しました。… 続きを読む →
-
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(1)をアップロードしました。
4H-SiCのMOSFETで発生することがあるon抵抗が増大していく現象は順方向特性劣化と呼ばれています。この現象はn–ドリフト層でショックレー型積層欠陥が増殖・成長することに起因している… 続きを読む →
-
SiCのフランク型積層欠陥連載(9)をアップロードしました。
4H-SiCや2H-GaN結晶中で観察されるフランク型積層欠陥の構造についての考察を連載で解説してきました。今回は最終回です。この連載(9)で一連の連載は終了です。連載の文章のご精読ありがとうございま… 続きを読む →