月: 2023年2月
-
ホームページをリニューアルしました。
ホームページの構成をリニューアルしました。フロントページ他の内容を変更し、必要情報にアクセスしやすくなっています。多くのアクセスを期待しています。 続きを読む →
-
放射光トポグラフ法の利用 (5)
〜 4H-SiCの基底面転位の観察 〜放射光ベルク・バレットX線トポグラフ法による転位の観察についての解説文を連載で書いています。この解説文は、格子欠陥の評価解析に興味を持つ人を対象に書いています。前回のその(4)では、g=1128の回折… 続きを読む →
-
放射光トポグラフ法の連載(5)をアップロードしました
放射光を利用したX線トポグラフ法について連載で解説しています。今回は連載の(5)です。4H-SiCの基底面転位のコントラストについて解説しています。4H-SiC以外の物質や他の結晶性材料の産業化の段階… 続きを読む →
-
「2nmノードの半導体を考えた」をアップロード
近頃巷を賑わす、2nmノードの半導体について、これまでのSi LSI微細化の流れを振り返りながら、背景にある設計思想を考えてみました。 続きを読む →
-
2nmノードの半導体を考えた
日本の半導体復活を目指す動きが湧き上がり、業界が色々とかまびすしい。経産省の肝入りで昨年設立されたRapidusは、「2nmノードのLSI」の製造を目指すと言っている。2nmノードのトランジスタとはど… 続きを読む →
-
放射光トポグラフ法の連載(4)をアップロードしました
放射光を用いたX線トポグラフ法についての解説記事の連載その(4)をアップロードしました。低角で表面にX線を入射させ、回折X線を利用して格子欠陥を観察する手法そのものを簡単に説明しました。 続きを読む →
-
放射光トポグラフ法の利用 (4)
〜 転位の観察の条件 〜放射光X線トポグラフ法による転位の観察についての解説文を連載で書いています。この解説文は、半導体結晶中の格子欠陥の評価に興味を持つ人を対象に書いています。転位の観察と解析について書く前に、4H-SiC… 続きを読む →
-
放射光トポグラフ法の連載(3)をアップロードしました
放射光を使ったX線トポグラフ法は、使う目的によっては利用価値があると思っています。この方法についての解説記事を連載で書いています。格子欠陥の評価に興味があるかたは、読んでいただくとありがたいです。 続きを読む →