アイシーソルーションズ, LLP

放射光を利用したX線トポグラフ法について連載で解説しています。今回は連載の(5)です。4H-SiCの基底面転位のコントラストについて解説しています。4H-SiC以外の物質や他の結晶性材料の産業化の段階で格子欠陥の存在が問題となる場合には、この手法は、有効に利用することができる可能性があります。