月: 2025年7月
-
「4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル」の連載(1)をアップロードしました。
半導体プロセスの研究開発の遂行上、透過型電子顕微鏡観察を必要とすることがあります。よくある観察目的は、新しく開発した半導体プロセスで、格子欠陥を新たに生成していないか、格子欠陥が残留していないか、ある… 続きを読む →
-
4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル (1)
〜 g・b解析法について 〜1-1. はじめに 半導体プロセスの研究開発の過程で、透過型電子顕微鏡観察を必要とすることがあります。よくある利用目的は、新しく開発した半導体プロセスで、転位などの格子欠陥を新たに生成していないか、格… 続きを読む →
