月: 2025年9月
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「4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル」の連載(4)をアップロードしました。
連載の前回まで4H-SiCの転位を観察する際に必要になる、g・b解析法について考察しました。連載の今回は積層欠陥の観察について考察します。積層欠陥の観察手法はg・R解析法とかg・R法などと呼ばれたりし… 続きを読む →
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4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル (4)
〜 積層欠陥の観察の観察 〜4-1.はじめに SiCパワー半導体の研究者が、透過型電子顕微鏡による格子欠陥の観察の依頼をどうするかを考察しています。企業の場合、自社内の分析部門の透過型電子顕微鏡担当者に観察作業をお願いする場合や… 続きを読む →
