月: 2025年8月
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「4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル」の連載(2)をアップロードしました。
この連載では、SiCパワー半導体研究者が、部門外の自社内の分析部門や、外部の会社に透過型電子顕微観察を依頼する際に、どのような観察の仕様を示すべきかを、g・b解析法の原理に基づいて考察し、マニュアル的… 続きを読む →
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4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル (2)
〜 断面試料の観察その1 〜2-1.はじめに 透過型電子顕微鏡を用いた4H-SiC結晶の格子欠陥の有無の確認に最も簡単で、効果的な観察方法は、g・b解析法やg・R解析法と呼ばれている手法です。この手法は転位のバーガース・ベクトル… 続きを読む →
