月: 2025年8月
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「4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル」の連載(3)をアップロードしました。
この連載記事では、SiCパワー半導体研究者が、自社内の分析部門や、自社外の分析会社に透過型電子顕微観察を依頼する際に、どのような観察の仕様を示すべきかを、g・b解析法の原理に基づいて考察し、マニュアル… 続きを読む →
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4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル (3)
〜 断面観察のつづき、 平面観察、ウイークビーム法 〜3-1.はじめに この連載は、SiCパワエレ研究者が、研究組織の外部にg・b解析法で透過型電子顕微鏡観察を依頼する場合に、観察依頼の仕様をどうすべきかを考察しています。また、一方で、4H-SiCの格子… 続きを読む →
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「4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル」の連載(2)をアップロードしました。
この連載では、SiCパワー半導体研究者が、部門外の自社内の分析部門や、外部の会社に透過型電子顕微観察を依頼する際に、どのような観察の仕様を示すべきかを、g・b解析法の原理に基づいて考察し、マニュアル的… 続きを読む →
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4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル (2)
〜 断面試料の観察 〜2-1.はじめに 透過型電子顕微鏡を用いた4H-SiC結晶の格子欠陥の有無の確認に最も簡単で、効果的な観察方法は、g・b解析法やg・R解析法と呼ばれている手法です。この手法は転位のバーガース・ベクトル… 続きを読む →
