投稿者: 松畑洋文
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果の第２回をアップ
4H-SiCパワーデバイスの研究開発当初、色々と話題となっていた、4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果をコラム・解説記事に簡単にまとめて公開しています。”その2”では「転位密度がPN接合構造素… 続きを読む →
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 (2)
〜 PN接合への転位の影響２ 〜前回の” 4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 その１”では、SiCパワーデバイスに影響を及ぼす転位の効果について、MOS構造での絶縁破壊の効果と、PN接合構造を持つデバイスの逆バイアス時のキ… 続きを読む →
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果の記事をアップ
4H-SiCパワーデバイスの研究開発当初、色々と話題となっていた、4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果をコラム・解説記事に簡単にまとめて公開します。２回に分けて順次公開します。 続きを読む →
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 (1)
〜 MOS構造絶縁破壊、PN接合への転位の影響１ 〜よく知られているように4H-SiCウエハには転位と呼ばれる線状の格子欠陥をある程度の密度で含んでいます。SiCパワーデバイス研究開始当時はまだSiC結晶中に含まれている転位がパワーデバイスへ及ぼす影響… 続きを読む →
