年: 2021年
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4H-SiCの積層欠陥について (4)
〜 4H-SiCの逆格子点の逆格子空間中の配置 〜透過型電子顕微鏡法や、X線トポグラフ法などを用いて、結晶中の転位や、積層欠陥などの素性を調べる際に、回折を起こす反射を変えながら欠陥のコントラストの変化を観察する手法、g・b 解析あるいはg… 続きを読む →
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4H-SiCの積層欠陥について (3)
〜 ショックレー型とフランク型積層欠陥の区別 〜“4H-SiCの積層欠陥(１)”ではショックレー型積層欠陥が1枚導入された場合について、そのショックレー型積層欠陥がいくつかに分類されることを述べました。“4H-SiCの積層欠陥(2)”ではショックレ… 続きを読む →
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4H-SiCの積層欠陥の記事をアップ
4H-SiCウエハは現在でもある程度の密度の積層欠陥を含んでいます。基底面に載っている積層欠陥について、それらの種類や解析方について整理してみたいと思います。回折的な手法では観察することができない積層… 続きを読む →
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4H-SiCの積層欠陥について (2)
〜 多層枚ショックレー型積層欠陥 〜“4H-SiCの積層欠陥(１)”ではショックレー型積層欠陥が1枚導入された場合について、そのショックレー型積層欠陥がいくつかに分類されることを述べまました。“その２”ではショックレー型積層欠陥が複数枚… 続きを読む →
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4H-SiCの積層欠陥について (1)
〜 1枚のショックレー型積層欠陥 〜4H-SiC結晶中には様々な種類の積層欠陥が報告されています。それらの一部を本文章で整理したいと思います。 “その１”ではショックレー型積層欠陥が1枚導入された場合について述べます。一見同じように見え… 続きを読む →
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R&Dロードマップの課題の記事をアップ
昨今、各種の技術開発において「ロードマップ」が活用されていますが、人によってその解釈が違ったりしてよく誤解のもととなっています。そこで今回、一般的な技術開発ロードマップにおける問題点やその解消策を考察… 続きを読む →
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R&Dロードマップについての一考察 (1)
〜 標準的ロードマップの解釈上での問題点 〜昨今新規技術の開発において、技術進展の指針としてロードマップが重視されている。通常、この種のロードマップは図1-1に示すように、技術の出口サイドからの要求仕様として、各種の特性指標と時間軸の関係として… 続きを読む →
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半導体Marx電源回路の記事をアップ
パワエレはインバーターだけではありません。超高耐圧のSiC MOSFETの登場で革新が進む、半導体Marxパルス電源回路の解説を、コラム記事・解説記事に公開しました。 続きを読む →
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半導体Marxパルス電源 (3)
〜 半導体素子の選択指針 〜Marx発生器を設計するときに重要な半導体デバイスの定格をどう選ぶか考える。 充電電圧V0（半導体デバイスの耐圧） 充電電圧V0が高いほどMarx発生器の段数を減らせる。V0の選択は半導体デバイスの耐… 続きを読む →
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半導体Marxパルス電源 (2)
〜 回路動作の詳細 〜前回概説した半導体Marx発生器の回路動作を詳細に見ていこう。まずMarx発生器の基本単位を確認する。図2-1にMarx発生器の回路を一部抜き出した。緑色に着色した部分が、Marxセルと呼ばれる回路の… 続きを読む →
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半導体Marxパルス電源 (1)
〜 超高耐圧SiC MOSFETの新しい応用 〜近年、耐圧10kVを越える超高耐圧SiC MOSFETが一部開発者の手に入るようになってきた。TO-268サイズのコンパクトなパッケージに実装され、プリント基板に直付けできる。定格電流が数A程度と小さ… 続きを読む →
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4H-SiCウェハに及ぼす転位の効果の記事をアップ
4H-SiCウエハは現在でも、ある程度の密度の転位を含んでいます。このため、転位の無いSiウエハとはちょっと異なる性質を示します。4H-SiCのウエハに及ぼす転位の影響を簡単にまとめました。その1、そ… 続きを読む →
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4H-SiCウエハに及ぼす転位の影響 (2)
〜 潜傷について 〜市販の4H-SiCエピレディウエハや、研磨会社にCMP(化学機械研磨)を依頼して表面をエピレディの状態にしたウエハの表面を光学顕微鏡で観察すると、平坦で傷の無い綺麗な表面が達成されています。しかしなが… 続きを読む →
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4H-SiCウェハに及ぼす転位の影響 (1)
〜 SiCウェハの変形 〜4H-SiCのウエハ中には転位が含まれています。結晶成長技術の改良により転位密度は年々低下していますが、現在でもある程度の密度の転位を含んでいます。よく知られているようにSiウエハはほぼ無転位です。こ… 続きを読む →
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果の第２回をアップ
4H-SiCパワーデバイスの研究開発当初、色々と話題となっていた、4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果をコラム・解説記事に簡単にまとめて公開しています。”その2”では「転位密度がPN接合構造素… 続きを読む →
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 (2)
〜 PN接合への転位の影響２ 〜前回の” 4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 その１”では、SiCパワーデバイスに影響を及ぼす転位の効果について、MOS構造での絶縁破壊の効果と、PN接合構造を持つデバイスの逆バイアス時のキ… 続きを読む →
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果の記事をアップ
4H-SiCパワーデバイスの研究開発当初、色々と話題となっていた、4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果をコラム・解説記事に簡単にまとめて公開します。２回に分けて順次公開します。 続きを読む →
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 (1)
〜 MOS構造絶縁破壊、PN接合への転位の影響１ 〜よく知られているように4H-SiCウエハには転位と呼ばれる線状の格子欠陥をある程度の密度で含んでいます。SiCパワーデバイス研究開始当時はまだSiC結晶中に含まれている転位がパワーデバイスへ及ぼす影響… 続きを読む →
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SiC FinFETのメリットの記事をアップ
SiCパワーデバイスでも話題になっているFinFETのメリットをコラム・解説記事に掲載しました。 続きを読む →
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SiCのFinFET
5/30～6/3にリモート開催されたISPSD2021では、SiCのFinFETがひとつのトピックだった。今日のコラムでは、SiCパワーデバイスにおけるFinFETの意味を考えてみよう。 FinF… 続きを読む →
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酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (4)
〜 p型Ga2O3の回避策：MIS接合 〜半導体上に絶縁膜、金属電極を積層したMIS接合は、電界集中を緩和するフィールドプレート構造としてパワーデバイスで広く用いられている。空乏層のドナーから出る電気力線は絶縁膜を通り抜けて金属電極の電子が受… 続きを読む →
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酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (3)
〜 p型Ga2O3の回避策：ショットキー接合 〜前コラムではGa2O3でpn接合をどう実現するかを見てきた。どうしてもpn接合ができなかったら、Ga2O3パワーデバイスの未来は無いのだろうか。プランBを検討してみる。最初の議論に戻ると、肝要な点は、… 続きを読む →
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酸化ガリウムの課題の第３回，第４回をアップ
残る２回で、pn接合ができない場合の耐圧構造を考えます。第3回は、ショットキー接合で耐圧を持たせられるかどうか。第4回は、実際の酸化ガリウムデバイスで使われているMIS接合を論じます。 続きを読む →
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酸化ガリウムの課題第２回をアップ
第2回は、ユニポーラパワーデバイスにおけるｐ型の役割から、p型酸化ガリウムを考えます。 続きを読む →
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酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (2)
〜 p型Ga2O3 〜ここからはp型の問題に話を絞る。前コラムのn型ドリフト層の電界分布の議論は、pn接合があることが前提となっている。n型ドリフト層の反対側には高濃度のp型層があり、p型層側にも空乏層が拡がる。n型半導体… 続きを読む →
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酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (1)
〜 Ga2O3の魅力 〜近年、SiCやGaNを超える次々世代のパワー半導体材料候補として、酸化ガリウム（Ga2O3）が注目されている。最近の応用物理学会誌2021年5月号にNICTの東脇正高氏の解説が掲載された。また、IEE… 続きを読む →
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酸化ガリウムの課題の記事をアップ
コラム・解説記事に、昨今話題の酸化ガリウムをパワーデバイスとして使う側からみた課題を掲載しました。４回に分けて順次公開します。第一回は序論で、酸化ガリウムが注目を集める理由を解説します 続きを読む →
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コラム記事･解説記事の掲載開始
当組合の活動に関係する科学技術や研究開発動向についてのコラム記事･解説記事の掲載を開始しました。上記メニュー項目からもアクセスいただけます。今後、記事の数を順次増やしていきたいと考えておりますので御期… 続きを読む →
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新着情報･コミュニケーション
新着情報／コミュニケーション欄を開設しました。ご活用下さい 続きを読む →
