アイシーソルーションズ, LLP

4H-SiCウエハは現在でもある程度の密度の積層欠陥を含んでいます。基底面に載っている積層欠陥について、それらの種類や解析方について整理してみたいと思います。回折的な手法では観察することができない積層欠陥、デバイス動作時に出現して成長していく積層欠陥等、異なる種類の積層欠陥には、特徴的な性質が付随しています。4回に分けて4H-SiCの基底面積層欠陥についての解説記事を掲載します。”4H-SiCの積層欠陥について(1), (2)”の記事をご覧ください。