アイシーソルーションズ, LLP

〜 イノベイティブな半導体、エレクトロニクス、エネルギー技術のソルーション 〜

Innovative Semiconductors, Electronics, & Energy Solutions

ホーム > 新着情報 > 4H-SiCウェハに及ぼす転位の効果の記事をアップ

カテゴリー一覧

タグ一覧

AIデータセンター コラム ダイヤモンド 半導体パワーデバイス 直流 800 V給電 解説

アーカイブ

4H-SiCウェハに及ぼす転位の効果の記事をアップ

松畑洋文

4H-SiCウエハは現在でも、ある程度の密度の転位を含んでいます。このため、転位の無いSiウエハとはちょっと異なる性質を示します。4H-SiCのウエハに及ぼす転位の影響を簡単にまとめました。その1、その2に分けて紹介します。興味のある方はご覧ください。

カテゴリー：
Back to top