REDG効果によって、成長した積層欠陥の形状を調べると、積層欠陥の成長原因の基底面転位の素性がわかります。基底面転位の素性がわかれば、デバイスプロセスの改良が可能かもしれません。連載(11)では、n–ドリフト層の上側から侵入してくる格子欠陥や、n–ドリフト層の側面から侵入した格子欠陥が、どのような形状の積層欠陥を形成するのかを考察します。
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