アイシーソルーションズ, LLP

半導体プロセスの研究開発の遂行上、透過型電子顕微鏡観察を必要とすることがあります。よくある観察目的は、新しく開発した半導体プロセスで、格子欠陥を新たに生成していないか、格子欠陥が残留していないか、あるいは動作不良の原因に格子欠陥が関係していないか、さらに、狙った構造が作製されているかどうかの確認などです。この解説では、4H-SiCの各種のプロセス開発で、格子欠陥の有無の確認を目的として、透過型電子顕微鏡観察を必要とする際に、どのような観察仕様を設定するかを考察します。