記事
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4H-SiCの積層欠陥について (4)
〜 4H-SiCの逆格子点の逆格子空間中の配置 〜透過型電子顕微鏡法や、X線トポグラフ法などを用いて、結晶中の転位や、積層欠陥などの素性を調べる際に、回折を起こす反射を変えながら欠陥のコントラストの変化を観察する手法、g・b 解析あるいはg… 続きを読む →
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4H-SiCの積層欠陥について (3)
〜 ショックレー型とフランク型積層欠陥の区別 〜“4H-SiCの積層欠陥(１)”ではショックレー型積層欠陥が1枚導入された場合について、そのショックレー型積層欠陥がいくつかに分類されることを述べました。“4H-SiCの積層欠陥(2)”ではショックレ… 続きを読む →
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4H-SiCの積層欠陥について (2)
〜 多層枚ショックレー型積層欠陥 〜“4H-SiCの積層欠陥(１)”ではショックレー型積層欠陥が1枚導入された場合について、そのショックレー型積層欠陥がいくつかに分類されることを述べまました。“その２”ではショックレー型積層欠陥が複数枚… 続きを読む →
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4H-SiCの積層欠陥について (1)
〜 1枚のショックレー型積層欠陥 〜4H-SiC結晶中には様々な種類の積層欠陥が報告されています。それらの一部を本文章で整理したいと思います。 “その１”ではショックレー型積層欠陥が1枚導入された場合について述べます。一見同じように見え… 続きを読む →
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R&Dロードマップについての一考察 (1)
〜 標準的ロードマップの解釈上での問題点 〜昨今新規技術の開発において、技術進展の指針としてロードマップが重視されている。通常、この種のロードマップは図1-1に示すように、技術の出口サイドからの要求仕様として、各種の特性指標と時間軸の関係として… 続きを読む →
