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半導体Marxパルス電源 (3)
〜 半導体素子の選択指針 〜Marx発生器を設計するときに重要な半導体デバイスの定格をどう選ぶか考える。 充電電圧V0（半導体デバイスの耐圧） 充電電圧V0が高いほどMarx発生器の段数を減らせる。V0の選択は半導体デバイスの耐… 続きを読む →
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半導体Marxパルス電源 (2)
〜 回路動作の詳細 〜前回概説した半導体Marx発生器の回路動作を詳細に見ていこう。まずMarx発生器の基本単位を確認する。図2-1にMarx発生器の回路を一部抜き出した。緑色に着色した部分が、Marxセルと呼ばれる回路の… 続きを読む →
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半導体Marxパルス電源 (1)
〜 超高耐圧SiC MOSFETの新しい応用 〜近年、耐圧10kVを越える超高耐圧SiC MOSFETが一部開発者の手に入るようになってきた。TO-268サイズのコンパクトなパッケージに実装され、プリント基板に直付けできる。定格電流が数A程度と小さ… 続きを読む →
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4H-SiCウエハに及ぼす転位の影響 (2)
〜 潜傷について 〜市販の4H-SiCエピレディウエハや、研磨会社にCMP(化学機械研磨)を依頼して表面をエピレディの状態にしたウエハの表面を光学顕微鏡で観察すると、平坦で傷の無い綺麗な表面が達成されています。しかしなが… 続きを読む →
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4H-SiCウェハに及ぼす転位の影響 (1)
〜 SiCウェハの変形 〜4H-SiCのウエハ中には転位が含まれています。結晶成長技術の改良により転位密度は年々低下していますが、現在でもある程度の密度の転位を含んでいます。よく知られているようにSiウエハはほぼ無転位です。こ… 続きを読む →
