記事
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SiCのフランク型積層欠陥 (9)
〜 実験結果との比較とまとめ 〜4H-SiCと2H-GaNのフランク型積層欠陥とフランク型部分転位の構造を理解するために、長々と考察しました。フランク型積層欠陥を、欠損したフランク型積層欠陥と余剰なフランク型積層欠陥と2種類に分類し… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (8)
〜 2H-GaNのフランク型積層欠陥との比較 〜はじめに 連載の“その(7)”まで、4H-SiCのフランク型の積層欠陥の構造について考察しました。連載(8)では結晶構造が似ている2H-GaNのフランク型積層欠陥とフランク型部分転位の構造について考察… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (7)
〜 ショックレー変位を伴う余剰フランク型積層欠陥 〜はじめに 連載のその(6)ではショックレー変位の無い余剰フランク型積層欠陥の積層構造について考察しました。ショックレー変位の無い余剰フランク型積層欠陥を純粋な余剰フランク型積層欠陥と呼ぶことにします。… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (6)
〜 ショックレー変位を伴わない余剰のフランク型積層欠陥 〜はじめに この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に書いています。前回までは、4H-SiCの結晶で欠損したフランク型積層欠陥の場合について考察しました。今回は、四面体層が1層、… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (5)
〜 ショックレー変位を伴う欠損したフランク型部分転位の構造2 〜はじめに この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に書いています。前回の連載で、ショックレー変位を伴うフランク型積層欠陥を考察しました。この積層欠陥は、純粋なフランク型積層欠陥… 続きを読む →