はじめに 4H-SiCでMOSFETを作製して、on-off動作を繰り返すと、on抵抗が増大する現象、”特性劣化”が発生することがあります。特性劣化を起こしたデバイスを放射光トポグラフ法や、顕微PL法… 続きを読む →

はじめに 4H-SiCのMOSFETのon-offを繰り返していくと発生することがある特性劣化現象に興味を持っている研究者を想定して、この解説の連載を書いています。この現象は特に4H-SiCの格子欠陥… 続きを読む →

はじめに この解説文は、4H-SiCの順方向特性劣化現象に興味を持っている研究者を想定して書いています。この現象は特に4H-SiCの格子欠陥と密接な関係にあります。SiCパワーエレクトロニクス研究者に… 続きを読む →

はじめに この解説文は、4H-SiCの“順方向特性劣化”に興味を持っている人を対象に書いています。SiCパワーエレクトロニクス研究者にとってはそれなりに興味のある内容だと思われますが、少し細かい話を詳… 続きを読む →

はじめに 4H-SiC-MOSFETでon-off動作を行なっていると、on抵抗が次第に増大することがあります。この現象を順方向特性劣化と呼んでいます。この解説文は、この現象を克服することに興味を持っ… 続きを読む →