記事
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SiCのフランク型積層欠陥 (4)
〜 ショックレー変位を伴う欠損したフランク型積層欠陥1 〜はじめに この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして解説を書いています。前回では、4H-SiCの欠損したフランク型積層欠陥とその縁に位置するフランク型部分転位の構造を考察し… 続きを読む →
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「キロワット」と「キロワット時」 (3)
〜 設備利用率で考える 〜地球温暖化についての意識の高まりや、東日本大震災に伴う原子力発電所での事故、電力市場の自由化、などに伴い日本の電力ネットワークに大きな変化が生じています。さらに、ウクライナ情勢に起因するエネルギーの自… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (3)
〜 4H-SiCの欠損したフランク型積層欠陥 〜フランク型積層欠陥とは この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして書いています。フランク型積層欠陥の構造について考察し、この積層欠陥の構造について整理することがこの連載の目… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (2)
〜 ショックレー型積層欠陥の記述について 〜はじめに この連載記事は、SiCの格子欠陥の解析評価や4H-SiCの結晶構造に興味を持つ人を対象にして書いています。少し詳細な内容を、冗長な文章で記述しています。 前回の文章では、4H-SiCの基底面… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (1)
〜 SiCの掟 〜4H-SiCのフランク型部分転位、フランク型積層欠陥についての考察への導入 この連載記事は、SiCの格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして書いています。4H-SiCのウエハを放射光X線トポグラフ… 続きを読む →
