SiCのMOSFETを利用していると、on抵抗が増加していく現象が観察されることがあります。これは、利用中にSiC-MOSFETのn–ドリフト層中で、たくさんのショックレー型積層欠陥が成長… 続きを読む →

REDG効果によって、成長した積層欠陥の形状を調べると、積層欠陥の成長原因の基底面転位の素性がわかります。基底面転位の素性がわかれば、デバイスプロセスの改良が可能かもしれません。連載(11)では、n&… 続きを読む →

REDG効果によってn–ドリフト層中に存在する基底面転位から、積層欠陥がどのように生成するのかを考察しています。成長した積層欠陥の形状を調べると、どのような素性の基底面転位が積層欠陥の原因… 続きを読む →

連載(9)では、界面転位が発生した場合、界面転位の表面終端部がばらまいたU字状転位が存在している場合、貫通刃状転位のドリフト層中での折れ曲がりが発生した場合、などが原因で積層欠陥が成長する場合に、どの… 続きを読む →

連載(8)では、基板中に存在していた基底面転位が、ドリフト層中へ少しだけ入り込んでしまった場合、どのような形状のショックレー型積層欠陥が成長するかを考察しました。連載(8)とこの連載(8)以降は、MO… 続きを読む →