アイシーソルーションズ, LLP

4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥や、バーシェイプ欠陥と呼ばれている欠陥を含んでいる場合があります。これらの格子欠陥は電力素子の歩留まりに影響を与えます。格子欠陥密度の低減はSiCテクノロジーの重要な目標の一つなのですが、その前に、フランク型積層欠陥とはどういう格子欠陥なのかの整理は必要かと思います。少し冗長で細かい考察を連載します。興味がある人は目を通していただくと幸甚です。