〜 イノベイティブな半導体、エレクトロニクス、エネルギー技術のソルーション 〜
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松畑洋文
4H-SiCや2H-GaN結晶中で観察されるフランク型積層欠陥の構造についての考察を連載で解説してきました。今回は最終回です。この連載(9)で一連の連載は終了です。連載の文章のご精読ありがとうございました。
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