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「4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル」の連載(4)をアップロードしました。

松畑洋文

連載の前回まで4H-SiCの転位を観察する際に必要になる、g・b解析法について考察しました。連載の今回は積層欠陥の観察について考察します。積層欠陥の観察手法はg・R解析法とかg・R法などと呼ばれたりします。転位のコントラストとは異なる積層欠陥のコントラストルールが存在します。g・Rルールについて説明します。この連載は、今回が最終回です。

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