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コラム 解説

放射光トポグラフ法の連載(2)の解説をアップロードしました

4H-SiCのウエハ、エピ層、パワーデバイス中の格子欠陥を放射光X線トポグラフで観察することについての解説記事を連載で書いています。連載その(2)を投稿しました。興味がある方は読んでみてください。

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