〜 イノベイティブな半導体、エレクトロニクス、エネルギー技術のソルーション 〜
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松畑洋文
4H-SiCのウエハ、エピ層、パワーデバイス中の格子欠陥を放射光X線トポグラフで観察することについての解説記事を連載で書いています。連載その(2)を投稿しました。興味がある方は読んでみてください。
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