5/30～6/3にリモート開催されたISPSD2021では、SiCのFinFETがひとつのトピックだった。今日のコラムでは、SiCパワーデバイスにおけるFinFETの意味を考えてみよう。 　FinF… 続きを読む →

半導体上に絶縁膜、金属電極を積層したMIS接合は、電界集中を緩和するフィールドプレート構造としてパワーデバイスで広く用いられている。空乏層のドナーから出る電気力線は絶縁膜を通り抜けて金属電極の電子が受… 続きを読む →

ここからはp型の問題に話を絞る。前コラムのn型ドリフト層の電界分布の議論は、pn接合があることが前提となっている。n型ドリフト層の反対側には高濃度のp型層があり、p型層側にも空乏層が拡がる。n型半導体… 続きを読む →

近年、SiCやGaNを超える次々世代のパワー半導体材料候補として、酸化ガリウム（Ga2O3）が注目されている。最近の応用物理学会誌2021年5月号にNICTの東脇正高氏の解説が掲載された。また、IEE… 続きを読む →