3-1.はじめに この連載は、SiCパワエレ研究者が、研究組織の外部にg・b解析法で透過型電子顕微鏡観察を依頼する場合に、観察依頼の仕様をどうすべきかを考察しています。また、一方で、4H-SiCの格子… 続きを読む →

2-1.はじめに 透過型電子顕微鏡を用いた4H-SiC結晶の格子欠陥の有無の確認に最も簡単で、効果的な観察方法は、g・b解析法やg・R解析法と呼ばれている手法です。この手法は転位のバーガース・ベクトル… 続きを読む →

1-1. はじめに 半導体プロセスの研究開発の過程で、透過型電子顕微鏡観察を必要とすることがあります。よくある利用目的は、新しく開発した半導体プロセスで、転位などの格子欠陥を新たに生成していないか、格… 続きを読む →

6-1. はじめに この連載の文章はSiCウエハの加工研磨に興味を持っている人を対象に書いています。近年、個々のSiCウエハの研磨装置の開発や、利用方法の改良などによってSiCウエハの加工研磨の高速化… 続きを読む →

5-1. はじめに この文章はSiCウエハの切断・研磨の運営に興味を持つ人を対象に書いています。前回の連載の(4)では、4段プロセスの考察を行い、各工程の適切な加工研磨条件の組み合わせについて解析的な… 続きを読む →