2-1.はじめに 透過型電子顕微鏡を用いた4H-SiC結晶の格子欠陥の有無の確認に最も簡単で、効果的な観察方法は、g・b解析法やg・R解析法と呼ばれている手法です。この手法は転位のバーガース・ベクトル… 続きを読む →

1-1. はじめに 半導体プロセスの研究開発の過程で、透過型電子顕微鏡観察を必要とすることがあります。よくある利用目的は、新しく開発した半導体のプロセス、つまりウエハのプロセスや、デバイスのプロセスで… 続きを読む →

6-1. はじめに この連載の文章はSiCウエハの加工研磨に興味を持っている人を対象に書いています。近年、個々のSiCウエハの研磨装置の開発や、利用方法の改良などによってSiCウエハの加工研磨の高速化… 続きを読む →

5-1. はじめに この文章はSiCウエハの切断・研磨の運営に興味を持つ人を対象に書いています。前回の連載の(4)では、4段プロセスの考察を行い、各工程の適切な加工研磨条件の組み合わせについて解析的な… 続きを読む →

4-1. はじめに 前回の連載の(3)では、3段プロセスの最適条件について解析的な解を求めました。2段研磨より3段研磨の方が速くなる条件などを考察しました。今回は4段の加工研磨プロセスについて同様の考… 続きを読む →