新着情報
-
「4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル」の連載(3)をアップロードしました。
この連載記事では、SiCパワー半導体研究者が、自社内の分析部門や、自社外の分析会社に透過型電子顕微観察を依頼する際に、どのような観察の仕様を示すべきかを、g・b解析法の原理に基づいて考察し、マニュアル… 続きを読む →
-
「4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル」の連載(2)をアップロードしました。
この連載では、SiCパワー半導体研究者が、部門外の自社内の分析部門や、外部の会社に透過型電子顕微観察を依頼する際に、どのような観察の仕様を示すべきかを、g・b解析法の原理に基づいて考察し、マニュアル的… 続きを読む →
-
「4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル」の連載(1)をアップロードしました。
半導体プロセスの研究開発の遂行上、透過型電子顕微鏡観察を必要とすることがあります。よくある観察目的は、新しく開発した半導体プロセスで、格子欠陥を新たに生成していないか、格子欠陥が残留していないか、ある… 続きを読む →
-
4H-SiCウエハの加工研磨の最適化(6)をアップロードしました。
高価な4H-SiCウエハの加工研磨について、簡単なモデルを用いて考察しています。今回は加工変質層の厚みの測定法について考察しました。加工研磨に伴って生成される加工変質層の厚みを正確に計測するにはどうす… 続きを読む →
-
4H-SiCウエハの加工研磨の最適化(5)をアップロードしました。
高価な4H-SiCウエハの加工研磨について、簡単なモデルを用いて考察しています。今回は5段工程について考察しました。ウエハの加工研磨工程の運営に興味を持つ人向けの内容です。 続きを読む →
