高価な4H-SiCウエハの加工研磨について、簡単なモデルを用いて考察しています。今回は加工変質層の厚みの測定法について考察しました。加工研磨に伴って生成される加工変質層の厚みを正確に計測するにはどうす… 続きを読む →

高価な4H-SiCウエハの加工研磨について、簡単なモデルを用いて考察しています。今回は5段工程について考察しました。ウエハの加工研磨工程の運営に興味を持つ人向けの内容です。 続きを読む →

高価な4H-SiCウエハの加工研磨について、簡単なモデルを用いて定性的な議論及び考察を連載で行っています。ウエハの4段工程での全加工研磨時間について考察しました。ウエハの加工研磨工程の最適化に興味を持… 続きを読む →

この連載を一旦完結してから４年が過ぎました。その後をフォローする、「連載(5) 〜その後の展開とGa2O3の有望な用途〜」をアップロードしました。連載(4)上梓後の、Ga2O3パワー半導体の研究の進展… 続きを読む →

高価な4H-SiCウエハの加工研磨について、簡単なモデルを用いて定性的な議論及び考察を連載で行っています。ウエハの3段工程での、全加工研磨時間と消耗品費について考察しました。ウエハの加工研磨工程の最適… 続きを読む →