新着情報
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「高圧直流送電時代を支えるパワー半導体」を修正しました
2023年5月投稿の解説記事「高圧直流送電時代を支えるパワー半導体」を修正しました。投稿後に見つけた文献と最新の圧接型IGBTデータシートの知見から、筆者推定の耐圧4.5 kV と6.5 kVのSi … 続きを読む →
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「4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル」の連載(4)をアップロードしました。
連載の前回まで4H-SiCの転位を観察する際に必要になる、g・b解析法について考察しました。連載の今回は積層欠陥の観察について考察します。積層欠陥の観察手法はg・R解析法とかg・R法などと呼ばれたりし… 続きを読む →
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「4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル」の連載(3)をアップロードしました。
この連載記事では、SiCパワー半導体研究者が、自社内の分析部門や、自社外の分析会社に透過型電子顕微観察を依頼する際に、どのような観察の仕様を示すべきかを、g・b解析法の原理に基づいて考察し、マニュアル… 続きを読む →
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「4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル」の連載(2)をアップロードしました。
この連載では、SiCパワー半導体研究者が、部門外の自社内の分析部門や、外部の会社に透過型電子顕微観察を依頼する際に、どのような観察の仕様を示すべきかを、g・b解析法の原理に基づいて考察し、マニュアル的… 続きを読む →
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「4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル」の連載(1)をアップロードしました。
半導体プロセスの研究開発の遂行上、透過型電子顕微鏡観察を必要とすることがあります。よくある観察目的は、新しく開発した半導体プロセスで、格子欠陥を新たに生成していないか、格子欠陥が残留していないか、ある… 続きを読む →
