増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の2回目をアップロードしました。この連載を進める上で必要になる基礎的な知識、4H-SiCの結晶構造や基底面転位について、連載(1)では整理しました。… 続きを読む →

4H-SiCのMOSFETで発生することがあるon抵抗が増大していく現象は順方向特性劣化と呼ばれています。この現象はn–ドリフト層でショックレー型積層欠陥が増殖・成長することに起因している… 続きを読む →

4H-SiCや2H-GaN結晶中で観察されるフランク型積層欠陥の構造についての考察を連載で解説してきました。今回は最終回です。この連載(9)で一連の連載は終了です。連載の文章のご精読ありがとうございま… 続きを読む →

前回まで、4H-SiCの基板やエピ層中に含まれるフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥の構造について考察しました。今回は4H-SiCの結晶構造とよく似た2H-GaN中のフランク型積層欠陥の構造を考察… 続きを読む →

4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれています。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察しています。前回は、四面体層１層が余剰に挿入され、さらにショ… 続きを読む →