アイシーソルーションズ, LLP

増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の2回目をアップロードしました。この連載を進める上で必要になる基礎的な知識、4H-SiCの結晶構造や基底面転位について、連載(1)では整理しました。連載(2)では、さらに4H-SiCの基底面転位やショックレー型積層欠陥などの基礎的な知識を整理します。これらの知識は、特性劣化の原因となる基底面転位について考察する上で必要になると考えられるので、この回で整理します。