アイシーソルーションズ, LLP

2023年5月投稿の解説記事「高圧直流送電時代を支えるパワー半導体」を修正しました。投稿後に見つけた文献と最新の圧接型IGBTデータシートの知見から、筆者推定の耐圧4.5 kV と6.5 kVのSi IGBTの定格電流密度を見直したところ、4.5 kV Si IGBTの電流密度を過大に見積もっていたことがわかりました。修正後のSi IGBTのスイッチング電力容量は、耐圧4.5 kVと 6.5 kVとでほぼ同じ値になります。お詫びして訂正いたします。