解説
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SiCのフランク型積層欠陥 (2)
〜 ショックレー型積層欠陥の記述について 〜はじめに この連載記事は、SiCの格子欠陥の解析評価や4H-SiCの結晶構造に興味を持つ人を対象にして書いています。少し詳細な内容を、冗長な文章で記述しています。 前回の文章では、4H-SiCの基底面… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (1)
〜 SiCの掟 〜4H-SiCのフランク型部分転位、フランク型積層欠陥についての考察への導入 この連載記事は、SiCの格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして書いています。4H-SiCのウエハを放射光X線トポグラフ… 続きを読む →
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「キロワット」と「キロワット時」 (2)
〜 いろいろな例で考える 〜最近の新聞に、「再エネの発電能力、化石燃料に匹敵 世界で5割規模へ」という見出しの記事がありました。 「・・・再生エネの発電能力は24年には全電源の5割規模になるとみられる。ただ火力などに比べて稼働… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (10)
〜 潜傷の観察 〜この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に連載記事として書いています。放射光X線トポグラフ法で4H-SiCの格子欠陥がどのように観察されるかについての解説は、今回が最後の連載記… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (9)
〜 フランク型積層欠陥について 〜この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に連載記事として書いています。前回は、4H-SiC中のショックレー型部分転位と、ショックレー型積層欠陥のコントラストについて記述し、ショ… 続きを読む →
