4H-SiCウエハは現在でも、ある程度の密度の転位を含んでいます。このため、転位の無いSiウエハとはちょっと異なる性質を示します。4H-SiCのウエハに及ぼす転位の影響を簡単にまとめました。その1、そ… 続きを読む →

4H-SiCパワーデバイスの研究開発当初、色々と話題となっていた、4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果をコラム・解説記事に簡単にまとめて公開しています。”その2”では「転位密度がPN接合構造素… 続きを読む →

4H-SiCパワーデバイスの研究開発当初、色々と話題となっていた、4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果をコラム・解説記事に簡単にまとめて公開します。２回に分けて順次公開します。 続きを読む →

SiCパワーデバイスでも話題になっているFinFETのメリットをコラム・解説記事に掲載しました。 続きを読む →