近年、SiC単結晶を切り出してウエハの形に成形し、エピ層成長のために表面を研磨する装置は高性能化しています。これらの装置は、より高速化、大口径化、高精度化を目指していると思います。今回、これらの高性能… 続きを読む →

　世の中の技術系の教科書には、取り扱う領域を体系的に系統立てて解説していくものが多い。その際、主題に沿った多くの箇所で言及されはするが、独立した主題としては扱われにくいトピックスがしばしば見られる。当… 続きを読む →

高圧直流送電時代を支えるパワー半導体 (1) ~最大損失とスイッチング容量~ では、半導体チップの消費電力の面から、HVDC用途のMMCに使用するパワー半導体デバイスを考察しました。その議論の肝が半導… 続きを読む →

　本連載記事では、現在までに実用化された或いは実用化に向けて研究開発が進行中の半導体材料間の共通性や相違点を、特に結晶の対称性（平行移動や回転操作で結晶全体が重なるかどうか）、並びにエピタキシャル成長… 続きを読む →

　結晶欠陥の発生は結晶本来の対称性を崩し、半導体結晶ではそれを用いて作製される半導体デバイスの理想的特性を損なう事が知られている。本連載記事では、現在までに実用化された或いは実用化に向けて研究開発が進… 続きを読む →