新着情報
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果の第2回をアップ
4H-SiCパワーデバイスの研究開発当初、色々と話題となっていた、4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果をコラム・解説記事に簡単にまとめて公開しています。”その2”では「転位密度がPN接合構造素… 続きを読む →
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果の記事をアップ
4H-SiCパワーデバイスの研究開発当初、色々と話題となっていた、4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果をコラム・解説記事に簡単にまとめて公開します。2回に分けて順次公開します。 続きを読む →
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酸化ガリウムの課題の第3回,第4回をアップ
残る2回で、pn接合ができない場合の耐圧構造を考えます。第3回は、ショットキー接合で耐圧を持たせられるかどうか。第4回は、実際の酸化ガリウムデバイスで使われているMIS接合を論じます。 続きを読む →