半導体結晶を人為的に作成しようとすると、結晶欠陥が発生して結晶の対称性が崩れる現象が頻繁に起こる。そしてそれらの半導体結晶をもとにして作製される半導体デバイスの理想的特性がしばしば損なわれている。本… 続きを読む →

　近年、半導体テクノロジーの重要性が再認識されてきたが、半導体テクノロジーのベースとして、素材としての半導体結晶作成技術は欠くことのできない基幹技術である。しかし実際の半導体結晶成長では結晶粒の境界で… 続きを読む →

　当組合の奥村元代表が、10月3日に筑波大学 大学会館で行われたTsukuba Global Science Week(TGSW) 2024, Session 2-3 “Challenge of ma… 続きを読む →

パワー半導体デバイスの解説では、pn接合のn–ドリフト層側に広がる空乏層の電界分布の図を使って、最大電界と空乏層濃度と耐圧の関係を説明する。空乏層がn–ドリフト層内に止まることを前提としたノンパンチス… 続きを読む →

SiCのMOSFETを利用していると、on抵抗が増加していく現象が観察されることがあります。これは、利用中にSiC-MOSFETのn–ドリフト層中で、たくさんのショックレー型積層欠陥が成長… 続きを読む →