REDG効果によって、成長した積層欠陥の形状を調べると、積層欠陥の成長原因の基底面転位の素性がわかります。基底面転位の素性がわかれば、デバイスプロセスの改良が可能かもしれません。連載(11)では、n&… 続きを読む →

REDG効果によってn–ドリフト層中に存在する基底面転位から、積層欠陥がどのように生成するのかを考察しています。成長した積層欠陥の形状を調べると、どのような素性の基底面転位が積層欠陥の原因… 続きを読む →

連載(9)では、界面転位が発生した場合、界面転位の表面終端部がばらまいたU字状転位が存在している場合、貫通刃状転位のドリフト層中での折れ曲がりが発生した場合、などが原因で積層欠陥が成長する場合に、どの… 続きを読む →

連載(8)では、基板中に存在していた基底面転位が、ドリフト層中へ少しだけ入り込んでしまった場合、どのような形状のショックレー型積層欠陥が成長するかを考察しました。連載(8)とこの連載(8)以降は、MO… 続きを読む →

連載(6)から、n–ドリフト層中に侵入してくる基底面転位にはどのようなものがあるのかを考察しています。n–ドリフト層の下側、つまり[0001]方向から入ってくる基底面転位、L字… 続きを読む →